MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-0058
Nº ref. fabric.:: BSS214NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 250)

0,183 €

(exc. IVA)

0,221 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
250 - 250	0,183 €	45,75 €
500 - 1000	0,097 €	24,25 €
1250 - 2250	0,09 €	22,50 €
2500 - 6000	0,084 €	21,00 €
6250 +	0,077 €	19,25 €

*precio indicativo

Código RS:: 827-0058
Nº ref. fabric.:: BSS214NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	250 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,8 nC a 5 V
Ancho	1.25mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	2mm
Material del transistor	Si
Altura	0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C