MOSFET Infineon IRFR120NTRLPBF, VDSS 100 V, ID 9,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-4035
- Nº ref. fabric.:
- IRFR120NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
1,078 €
(exc. IVA)
1,304 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
20 - 180 | 1,078 € | 21,56 € |
200 - 480 | 0,841 € | 16,82 € |
500 - 980 | 0,787 € | 15,74 € |
1000 - 1980 | 0,733 € | 14,66 € |
2000 + | 0,679 € | 13,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 827-4035
- Nº ref. fabric.:
- IRFR120NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9,4 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | HEXFET |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 210 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 48 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 6.22mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 25 nC a 10 V |
Longitud | 6.73mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Material del transistor | Si |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 2.39mm |
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