MOSFET Microchip LND150N3-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 829-3250
- Nº ref. fabric.:
- LND150N3-G
- Fabricante:
- Microchip
40 Disponible para entrega en 24/48 horas
140 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,557 €
(exc. IVA)
0,674 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 20 - 20 | 0,557 € | 11,14 € |
| 40 - 80 | 0,527 € | 10,54 € |
| 100 + | 0,473 € | 9,46 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 829-3250
- Nº ref. fabric.:
- LND150N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
El transistor de modo de vaciado de canal N (normalmente encendido) Microchip LND150 utiliza tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. Es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación. Tiene una tensión de drenador a fuente y drenador a puerta de 500V V y una resistencia de estado de drenador a fuente estática de 1 1kΩ.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y CISS bajo
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y CISS bajo
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1 kΩ |
| Modo de Canal | Reducción |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 740 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 4.19mm |
| Longitud | 5.2mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 5.33mm |
- Código RS:
- 829-3250
- Nº ref. fabric.:
- LND150N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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