- Código RS:
- 916-3721
- Nº ref. fabric.:
- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
75 Disponible para entrega en 24/48 horas
175 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,52 €
(exc. IVA)
0,63 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
25 - 75 | 0,52 € | 13,00 € |
100 + | 0,472 € | 11,80 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 916-3721
- Nº ref. fabric.:
- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de canal N 2N7008
El Microchip 2N7008 es un transistor con modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura vertical DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Libre de ruptura secundaria
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo fuente-sumidero integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
El transistor de modo de mejora de canal N (normalmente desactivado) Microchip 2N7008 utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente al dispositivo MOS. Este dispositivo no presenta desbordamiento térmico ni ruptura secundaria inducida térmicamente. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea una tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Sin plomo (Pb)
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Sin plomo (Pb)
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 230 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,5 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Longitud | 5.08mm |
Ancho | 4.06mm |
Tensión de diodo directa | 1.5V |
Altura | 5.33mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 916-3721
- Nº ref. fabric.:
- 2N7008-G
- Fabricante:
- Microchip
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