Módulo IGBT, FP25R12W2T4B11BOMA1, 39 A, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5389
- Nº ref. fabric.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 244-5389
- Nº ref. fabric.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 39 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Número de transistores | 7 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 175 W | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 39 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Número de transistores 7 | ||
Disipación de Potencia Máxima 175 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF