Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bandeja de 15 unidades)*

523,125 €

(exc. IVA)

632,985 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 04 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bandeja*
15 - 1534,875 €523,13 €
30 +33,131 €496,97 €

*precio indicativo

Código RS:
244-5389
Nº ref. fabric.:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

7

Disipación de potencia máxima Pd

175W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Serie

FP25R12W2T4B11B

Altura

12mm

Anchura

42.5 mm

Longitud

51mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 50 A y una tensión de saturación máxima de colector-emisor de 2,25 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.

Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA

Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.

Corriente de fuga de emisor de puerta: 400 nA

Capacitancia de transferencia inversa: 0,05 NF

Enlaces relacionados