onsemi IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 430 V, TO-252, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 862-9347P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
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- 862-9347P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 10A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 430V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 200mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 10A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 430V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie EcoSPARK | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 200mJ | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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