MOSFET IXYS IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple
- Código RS:
- 194-259
- Nº ref. fabric.:
- IXFN180N15P
- Fabricante:
- IXYS
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- 194-259
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- IXFN180N15P
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 150 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Tipo de Montaje | Montaje roscado | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 11 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 680000 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 240 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 25.42mm | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Altura | 9.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 150 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 150 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Tipo de Montaje Montaje roscado | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 11 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 680000 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 240 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 25.42mm | ||
Longitud 38.23mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Altura 9.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
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