MOSFET IXYS, N-Canal IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
194-259
Nº ref. fabric.:
IXFN180N15P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Montaje en Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

240nC

Disipación de potencia máxima Pd

680W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

25.42mm

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

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