MOSFET IXYS, N-Canal IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
194-259
Nº ref. fabric.:
IXFN180N15P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

150 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

150 A

Encapsulado

SOT-227

Modo de canal

Mejora

Número de pines

4

Configuración de transistor

Simple

Altura

9.6 mm

Longitud

38.23 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

11 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20 V, +20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

680 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Montaje en Panel

Serie

HiperFET, Polar

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

240 nC

Anchura

25.42 mm

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


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