MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT027H65G3AG, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

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Código RS:
214-954
Nº ref. fabric.:
SCT027H65G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

2.9V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Anchura

10.4 mm

Longitud

15.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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