MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

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Código RS:
214-960
Nº ref. fabric.:
SCT070H120G3-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-7

Serie

SCT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

224W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.4 mm

Longitud

15.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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