MOSFET STMicroelectronics SCT025H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7

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Código RS:
365-165
Nº ref. fabric.:
SCT025H120G3-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Cualificado AEC-Q101

RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia

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