MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT070W120G3-4, Hip-247-4, Mejora de 4 pines, 1
- Código RS:
- 214-964
- Nº ref. fabric.:
- SCT070W120G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 214-964
- Nº ref. fabric.:
- SCT070W120G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Encapsulado | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Encapsulado Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
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