MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT070W120G3-4, Hip-247-4, Mejora de 4 pines, 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-964
Nº ref. fabric.:
SCT070W120G3-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247-4

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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