MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5CGSCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 284-757
- Nº ref. fabric.:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 6000 unidades)*
9.486,00 €
(exc. IVA)
11.478,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 6000 Envío desde el 02 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 6000 + | 1,581 € | 9.486,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-757
- Nº ref. fabric.:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 132A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 132A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia que ejemplifica la tecnología y el rendimiento de vanguardia, diseñado para un funcionamiento eficiente en aplicaciones exigentes. Optimizado para rectificación síncrona, garantiza una gestión térmica y fiabilidad superiores, lo que lo convierte en una elección ideal para diversos usos industriales. Construido en torno a la plataforma OptiMOS 5, está diseñado para funcionar de manera eficaz dentro de un rango de 60 V al tiempo que mantiene una huella compacta. Su diseño robusto facilita la conmutación eficiente, lo que garantiza un alto rendimiento al tiempo que minimiza las pérdidas.
Resistencia térmica superior para mayor fiabilidad
Chapado sin plomo para cumplir con el medio ambiente
Prueba de avalancha al 100 % para garantizar el rendimiento
Carga de puerta excepcional para mayor eficiencia de conmutación
Cumple los estándares sin halógenos
Ideal para aplicaciones industriales rigurosas
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQE065N10NM5CGSCATMA1 ID 85 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQDH45N04LM6CGSCATMA1 ID 611 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD009N06NM5CGSCATMA1 ID 445 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD005N04NM6CGSCATMA1 ID 597 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQD016N08NM5CGSCATMA1 ID 323 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET Infineon IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ID 789 A, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
