MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5CGSCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
284-757
Nº ref. fabric.:
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

132A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia que ejemplifica la tecnología y el rendimiento de vanguardia, diseñado para un funcionamiento eficiente en aplicaciones exigentes. Optimizado para rectificación síncrona, garantiza una gestión térmica y fiabilidad superiores, lo que lo convierte en una elección ideal para diversos usos industriales. Construido en torno a la plataforma OptiMOS 5, está diseñado para funcionar de manera eficaz dentro de un rango de 60 V al tiempo que mantiene una huella compacta. Su diseño robusto facilita la conmutación eficiente, lo que garantiza un alto rendimiento al tiempo que minimiza las pérdidas.

Resistencia térmica superior para mayor fiabilidad

Chapado sin plomo para cumplir con el medio ambiente

Prueba de avalancha al 100 % para garantizar el rendimiento

Carga de puerta excepcional para mayor eficiencia de conmutación

Cumple los estándares sin halógenos

Ideal para aplicaciones industriales rigurosas

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