MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE050N08NM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
284-771
Nº ref. fabric.:
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

99A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-WHTFN-9

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.0mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia y es una elección ejemplar para aplicaciones que requieren alta eficiencia y fiabilidad. Optimizado para rectificación síncrona, este dispositivo de canal N forma parte de la serie OptiMOS 5, famosa por su robusto rendimiento térmico y baja resistencia de encendido. El dispositivo funciona de manera eficaz a tensiones de hasta 80 V, lo que lo convierte en adecuado para una amplia gama de aplicaciones industriales. Con características como pruebas de avalancha al 100 % y un diseño sin plomo conforme con los estándares RoHS, este producto encarna la seguridad y la sostenibilidad en su proceso de fabricación. Su pequeño tamaño y alto rendimiento se manifiestan en el diseño avanzado que garantiza características térmicas superiores, lo que presenta una excelente opción para los diseñadores que buscan mejorar la eficiencia general del sistema.

Optimizado para rectificación síncrona

Canal N para facilitar la integración de circuitos

La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas de potencia

Resistencia térmica robusta para mayor fiabilidad

Prueba de avalancha para condiciones extremas

Chapado de plomo sin plomo para mayor seguridad

La construcción sin halógenos cumple los estándares IEC

Calificación conforme a los estándares de la industria JEDEC

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