MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC750P10LMATMA1, VDSS 100 V, ID -32 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
285-055
Nº ref. fabric.:
ISC750P10LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-32A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia avanzado diseñado para una eficiencia y versatilidad óptimas en aplicaciones industriales. Con una configuración de canal P robusta, proporciona una resistencia de encendido excepcionalmente baja y puede manejar alta corriente de drenaje, lo que lo convierte en adecuado para una gama de circuitos electrónicos exigentes. La incorporación de accionamiento de puerta de nivel lógico significa que funciona perfectamente en sistemas de baja tensión. Con su excelente rendimiento térmico y valores nominales de avalancha fiables, este transistor de potencia es ideal para aplicaciones que requieren durabilidad y fiabilidad bajo tensión continua. Su conformidad con RoHS y su chapado de plomo sin halógenos mejoran aún más su idoneidad para diseños respetuosos con el medio ambiente, lo que proporciona a los fabricantes tranquilidad en un mercado competitivo.

Rendimiento de conmutación excepcional para la gestión de potencia

100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad

Baja resistencia térmica para una disipación de calor eficaz

Unidad de nivel lógico para facilitar la interfaz de microcontrolador

Chapado de plomo sin plomo para cumplir con el medio ambiente

Rendimiento constante en una amplia gama de temperaturas

Optimizado para aplicaciones de alta velocidad

Admite corrientes nominales de impulso altas

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