MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC800P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID -19.6 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 285-057
- Nº ref. fabric.:
- ISC800P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 285-057
- Nº ref. fabric.:
- ISC800P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -19.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -19.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS que redefine la eficiencia con su tecnología de canal P superior diseñada para aplicaciones de alto rendimiento. Con una tensión de ruptura de 60 V, está diseñado para un uso industrial robusto, lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones de funcionamiento. El encapsulado exclusivo SuperSO8 facilita una ruta térmica óptima para la disipación de calor, lo que mejora la fiabilidad y la vida útil del dispositivo. Este transistor se somete a pruebas rigurosas, incluidas pruebas de avalancha al 100 %, lo que garantiza que cumple los más altos estándares de fiabilidad y calidad. Con una resistencia de encendido baja líder del sector, reduce significativamente las pérdidas de potencia, lo que lo convierte en una excelente elección para diseños conscientes de energía.
La resistencia de encendido muy baja mejora la eficiencia
100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad
Chapado de cable sin plomo para garantizar el cumplimiento
La construcción sin halógenos admite la compatibilidad con el medio ambiente
Funcionamiento a nivel lógico para facilitar la interfaz
Adecuado para diversas aplicaciones industriales
Las excelentes características térmicas garantizan la fiabilidad
Diseño de modo de mejora para un rendimiento estable
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