MOSFET, N-Canal Infineon IPD047N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 71 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
348-899
Nº ref. fabric.:
IPD047N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

71A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia de 30 V con tecnología StrongIRFET 2 de Infineon presenta una RDS(on) de 4,7 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado DPAK. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.

Productos de uso general

Excelente robustez

Amplia disponibilidad en distribuidores

Encapsulado estándar y disposición de pines

Altos estándares de fabricación y suministro

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