MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF4MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 200 A, EasyDUAL, Mejora

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Código RS:
349-253
Nº ref. fabric.:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyDUAL

Serie

CoolSiCTM Trench MOSFET

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El módulo de medio puente MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC de Infineon es un módulo de 1200 V que presenta una baja resistencia de puerta G1 de 4 mΩ y está equipado con un sensor de temperatura NTC integrado para un control térmico preciso. También incluye material de interfaz térmica preaplicado para una mejor disipación térmica y utiliza la tecnología de contacto PressFIT, lo que garantiza unas conexiones eléctricas fiables y eficientes. Este módulo está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en las que la conversión de potencia y la gestión térmica eficientes son fundamentales.

Montaje robusto gracias a las abrazaderas de montaje integradas

Tecnología de contacto PressFIT

Sensor de temperatura NTC integrado

Material de interfaz térmica preaplicado

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