MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD040N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-430
- Nº ref. fabric.:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,37 €
(exc. IVA)
8,92 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1980 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,737 € | 7,37 € |
| 100 - 240 | 0,701 € | 7,01 € |
| 250 - 490 | 0,649 € | 6,49 € |
| 500 - 990 | 0,596 € | 5,96 € |
| 1000 + | 0,575 € | 5,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-430
- Nº ref. fabric.:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 73A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 73A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este MOSFET de potencia de 30 V con tecnología StrongIRFET 2 de Infineon presenta una RDS(on) de 4 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado DPAK. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.
Productos de uso general
Excelente robustez
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines