MOSFET, N-Canal Infineon IPD040N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-430
- Nº ref. fabric.:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,42 € | 14,20 € |
| 100 - 240 | 1,35 € | 13,50 € |
| 250 - 490 | 1,25 € | 12,50 € |
| 500 - 990 | 1,15 € | 11,50 € |
| 1000 + | 1,109 € | 11,09 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-430
- Nº ref. fabric.:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 73A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 73A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este MOSFET de potencia de 30 V con tecnología StrongIRFET 2 de Infineon presenta una RDS(on) de 4 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado DPAK. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.
Productos de uso general
Excelente robustez
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
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