MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT023N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 243 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-908
- Nº ref. fabric.:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 7,71 € | 15,42 € |
| 20 - 198 | 6,95 € | 13,90 € |
| 200 - 998 | 6,41 € | 12,82 € |
| 1000 - 1998 | 5,935 € | 11,87 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 351-908
- Nº ref. fabric.:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 243A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 144nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.58mm | |
| Altura | 2.40mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 243A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 144nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.58mm | ||
Altura 2.40mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- AT
La tecnología OptiMOS 5 Linear FET 2 de Infineon permite el mejor equilibrio de su categoría entre resistencia en estado de encendido y capacidad de modo lineal. Combinado con el paquete TOLL, el IPT023N10NM5LF2 está destinado para la protección contra corrientes de irrupción, como intercambio en caliente, fusibles electrónicos y protección de batería en sistemas de gestión de batería (BMS).
Amplia zona de funcionamiento seguro (SOA)
RDS(on) baja
IGSS más bajo comparado con la FET lineal
Característica de transferencia optimizada
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