MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT012W90G3AG, VDSS 900 V, ID 110 A, Mejora, HIP-247-3 de 3 pines

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Código RS:
719-464
Nº ref. fabric.:
SCT012W90G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Encapsulado

HIP-247-3

Serie

Sct

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

138nC

Tensión directa Vf

2.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

15.75mm

Altura

20.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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