MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IPB020N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 122 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

2,70 €

(exc. IVA)

3,27 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 799 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 92,70 €
10 - 991,75 €
100 - 4991,20 €
500 - 7991,06 €
800 +0,91 €

*precio indicativo

Código RS:
762-989
Nº ref. fabric.:
IPB020N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

122A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

StrongIRFET

Encapsulado

PG-TO263-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.05mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.67mm

Longitud

15.88mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El transistor de potencia StrongIRFET 2 de Infineon es un MOSFET de canal N de 30 V adecuado para diversas aplicaciones. Funciona en condiciones extremas, con una temperatura nominal máxima de 175 °C y cumple la normativa ambiental.

100 % a prueba de avalancha

Tiene chapado de cable sin plomo.

Conforme a RoHS

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.