MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IPB023N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 119 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 762-990
- Nº ref. fabric.:
- IPB023N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-990
- Nº ref. fabric.:
- IPB023N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 119A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.88mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 119A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.88mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El transistor de potencia StrongIRFET 2 de Infineon es un MOSFET de canal N de 30 V adecuado para diversas aplicaciones. Funciona en condiciones extremas, con una temperatura nominal máxima de 175 °C y cumple la normativa ambiental.
100 % a prueba de avalancha
Tiene chapado de cable sin plomo.
Conforme a RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
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