MOSFET, Canal N-Canal STMicroelectronics STK295N10F8AG, VDSS 100 V, ID 302 A, Modo de mejora, PowerLeaded de 7 pines

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Código RS:
834-674
Nº ref. fabric.:
STK295N10F8AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

302A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerLeaded

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

ROHS

Anchura

10mm

Altura

2.3mm

Longitud

10.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de canal N de alto rendimiento diseñado para la eficiencia en aplicaciones de automoción. Dispone de una baja resistencia en estado activo, lo que lo convierte en adecuado para entornos exigentes.

La tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V garantiza un rendimiento fiable

La resistencia de conexión máxima de 1,9 mΩ contribuye a la eficiencia energética

La capacidad de corriente continua 302 A admite aplicaciones de altas prestaciones

Certificación AEC-Q101 para rigurosos estándares de automoción

Diseñado para un rendimiento óptimo hasta 175 °C de temperatura de funcionamiento

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