MOSFET sencillos, N-Canal Microchip DN1509T-V/C6X, VDSS 90 V, ID 200 mA, Modo de agotamiento, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 849-964
- Nº ref. fabric.:
- DN1509T-V/C6X
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 849-964
- Nº ref. fabric.:
- DN1509T-V/C6X
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Serie | DN1509 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS3 Compliant | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Serie DN1509 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.86nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS3 Compliant | ||
Anchura 1.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El MOSFET de Microchip es un transistor de modo de agotamiento de canal N diseñado para una conmutación y amplificación eficientes, lo que garantiza una alta impedancia de entrada y un rendimiento térmico superior para diversas aplicaciones.
La alta impedancia de entrada mejora la estabilidad del circuito
Las velocidades de conmutación rápidas mejoran los tiempos de respuesta en las aplicaciones
La baja resistencia de encendido garantiza un manejo eficiente de la potencia
La ausencia de fugas térmicas y de averías secundarias mejora la fiabilidad
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