MOSFET sencillos, N-Canal Microchip DN1509T-V/C6X, VDSS 90 V, ID 200 mA, Modo de agotamiento, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 849-964
- Nº ref. fabric.:
- DN1509T-V/C6X
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 849-964
- Nº ref. fabric.:
- DN1509T-V/C6X
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Serie | DN1509 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS3 Compliant | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Serie DN1509 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.86nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS3 Compliant | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El MOSFET de Microchip es un transistor de modo de agotamiento de canal N diseñado para una conmutación y amplificación eficientes, lo que garantiza una alta impedancia de entrada y un rendimiento térmico superior para diversas aplicaciones.
La alta impedancia de entrada mejora la estabilidad del circuito
Las velocidades de conmutación rápidas mejoran los tiempos de respuesta en las aplicaciones
La baja resistencia de encendido garantiza un manejo eficiente de la potencia
La ausencia de fugas térmicas y de averías secundarias mejora la fiabilidad
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