MOSFET, N-Canal Vishay SISS32ADN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 50.3 A, N, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 878-900
- Nº ref. fabric.:
- SISS32ADN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 878-900
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- SISS32ADN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SiSS | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0087Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SiSS | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0087Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.4mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de Vishay ofrece un alto rendimiento en aplicaciones de gestión de potencia. Diseñado para la eficiencia, destaca en rectificación síncrona y como interruptor de lado primario en convertidores dc/dc, lo que garantiza un control fiable de la energía.
La tecnología TrenchFET Gen IV proporciona una eficiencia mejorada
La resistencia en estado activo muy baja minimiza las pérdidas de potencia
Pruebas exhaustivas que garantizan la fiabilidad y el rendimiento
El diseño de encapsulado versátil se adapta a varios requisitos de montaje
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