MOSFET, N-Canal Vishay SISS32ADN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 50.3 A, N, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 878-901
- Nº ref. fabric.:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 878-901
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- SISS32ADN-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Serie | SiSS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0087Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.83mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Serie SiSS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0087Ω | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.83mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El semiconductor de Vishay es un MOSFET de canal N robusto diseñado para una gestión eficiente de la potencia, con baja resistencia en estado activo y rendimiento térmico mejorado para entornos operativos exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV ofrece una eficiencia superior
El RDS(on) muy bajo reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento
La tensión de umbral de fuente de puerta garantiza una conmutación fiable
El amplio rango de temperaturas garantiza el funcionamiento en diversas condiciones
El diseño de encapsulado permite una integración simplificada en los diseños de circuitos
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