MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN50R1K4CEATMA1, VDSS 550 V, ID 4.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 130-0911
- Nº ref. fabric.:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 25 unidades)*
11,475 €
(exc. IVA)
13,875 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2050 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,459 € | 11,48 € |
| 250 - 600 | 0,344 € | 8,60 € |
| 625 - 1225 | 0,322 € | 8,05 € |
| 1250 - 2475 | 0,298 € | 7,45 € |
| 2500 + | 0,23 € | 5,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 130-0911
- Nº ref. fabric.:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 550V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.7mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 550V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.7mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET Infineon ID 5 A, SOT-223
- MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF ID 5 A, SOT-223
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines