MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN50R1K4CEATMA1, VDSS 550 V, ID 4.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
130-0911
Nº ref. fabric.:
IPN50R1K4CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.83V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.7mm

Anchura

3.7 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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