MOSFET Infineon IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 de 3 pines

Código RS:: 168-5925
Nº ref. fabric.:: IPN50R650CEATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, SOT-223 de 3 pines

7500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,266 €

(exc. IVA)

0,322 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,266 €	798,00 €
6000 +	0,252 €	756,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-5925
Nº ref. fabric.:: IPN50R650CEATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	550 V
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	650 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	3.7mm
Longitud	6.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Altura	1.7mm
Tensión de diodo directa	0.84V