MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN50R650CEATMA1, VDSS 550 V, ID 9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
130-0914
Nº ref. fabric.:
IPN50R650CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

650mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.83V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Altura

1.7mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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