MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF8788TRPBF, VDSS 30 V, ID 24 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 130-0967
- Nº ref. fabric.:
- IRF8788TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,33 €
(exc. IVA)
8,87 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6340 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,733 € | 7,33 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 130-0967
- Nº ref. fabric.:
- IRF8788TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines