MOSFET IXYS, Tipo N-Canal IXTK22N100L, VDSS 1000 V, ID 22 A, TO-264, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 146-1713
- Nº ref. fabric.:
- IXTK22N100L
- Fabricante:
- IXYS
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 146-1713
- Nº ref. fabric.:
- IXTK22N100L
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1000V | |
| Encapsulado | TO-264 | |
| Serie | Linear | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30, -30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 19.96mm | |
| Altura | 26.16mm | |
| Anchura | 5.13mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1000V | ||
Encapsulado TO-264 | ||
Serie Linear | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30, -30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 19.96mm | ||
Altura 26.16mm | ||
Anchura 5.13mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS Linear
MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para funcionamiento lineal. Estos dispositivos disponen de un área de funcionamiento segura avanzada (FBSOA) para mayor robustez y fiabilidad.
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET IXYS VDSS 1000 V TO-264 1, config. Simple
- MOSFET IXYS VDSS 1000 V SOT-227 1, config. Simple
- MOSFET IXYS Tipo N-Canal IXFH15N100Q3 ID 15 A Mejora de 3 pines config. Simple
- MOSFET IXYS VDSS 250 V SMPD 1, config. Simple
- MOSFET IXYS VDSS 300 V PLUS247 1, config. Simple
- MOSFET IXYS VDSS 600 V PLUS264 1, config. Simple
- MOSFET IXYS IXFX24N100Q3 ID 24 A , config. Simple
- MOSFET IXYS IXFR48N60Q3 ID 32 A , config. Simple
