MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
165-5560
Nº ref. fabric.:
IRFL4315TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

185mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

2.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Altura

1.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,6A, disipación de potencia máxima de 2,8W - IRFL4315TRPBF


Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de potencia, ofreciendo un sólido rendimiento y una mayor fiabilidad en diversos entornos. Como componente clave en las aplicaciones de conmutación, permite un control eficaz de la entrega de potencia. Su diseño de montaje superficial lo hace idóneo para circuitos de alto rendimiento que requieren una baja carga entre la puerta y el drenaje, minimizando las pérdidas por conmutación, lo que resulta beneficioso para los usuarios de los sectores de la automatización y la electrónica.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua de 2,6 A para diversas aplicaciones

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 150 V facilita las operaciones de alta potencia

• La baja Rds(on) de 185mΩ mejora la eficiencia energética

• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +150°C para un rendimiento fiable

• Tensión umbral de puerta optimizada para facilitar el diseño de circuitos

• Las características de avalancha totalmente caracterizadas proporcionan una protección adicional

Aplicaciones


• Convertidores CC-CC de alta frecuencia

• Sistemas de gestión de la energía para mejorar la eficiencia

• Fuentes de alimentación conmutadas para un mayor rendimiento

¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?


Un Rds(on) bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general en múltiples aplicaciones.

¿Cómo afecta el amplio rango de temperaturas al uso?


El amplio rango de temperaturas de funcionamiento garantiza un rendimiento fiable en condiciones extremas, por lo que es adecuado para diversos entornos.

¿Puede utilizarse tanto en aplicaciones de alta como de baja frecuencia?


Sí, se adapta tanto a los convertidores CC-CC de alta frecuencia como a las aplicaciones que requieren conmutación de baja frecuencia.

¿Qué hay que tener en cuenta para la instalación?


Para optimizar el rendimiento durante la instalación, deben tenerse en cuenta la disposición adecuada de los circuitos y la gestión térmica.

¿Cómo influye la tensión umbral de puerta en el diseño de circuitos?


La tensión umbral de puerta permite un mejor control del comportamiento de conmutación, lo que facilita el diseño del circuito de conducción.

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