MOSFET, N-Canal Infineon IRFL4315TRPBF, VDSS 150 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 865-5822
Número de artículo Distrelec:: 304-44-459
Nº ref. fabric.:: IRFL4315TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon IRFL4315TRPBF, VDSS 150 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:: 865-5822
Número de artículo Distrelec:: 304-44-459
Nº ref. fabric.:: IRFL4315TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	185mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	2.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.7mm
	Longitud	6.7mm
	Altura	1.8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 185mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 2.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.7mm
	Longitud 6.7mm
	Altura 1.8mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,6A, disipación de potencia máxima de 2,8W - IRFL4315TRPBF

Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de potencia, ofreciendo un sólido rendimiento y una mayor fiabilidad en diversos entornos. Como componente clave en las aplicaciones de conmutación, permite un control eficaz de la entrega de potencia. Su diseño de montaje superficial lo hace idóneo para circuitos de alto rendimiento que requieren una baja carga entre la puerta y el drenaje, minimizando las pérdidas por conmutación, lo que resulta beneficioso para los usuarios de los sectores de la automatización y la electrónica.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua de 2,6 A para diversas aplicaciones

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 150 V facilita las operaciones de alta potencia

• La baja Rds(on) de 185mΩ mejora la eficiencia energética

• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +150°C para un rendimiento fiable

• Tensión umbral de puerta optimizada para facilitar el diseño de circuitos

• Las características de avalancha totalmente caracterizadas proporcionan una protección adicional

Aplicaciones

• Convertidores CC-CC de alta frecuencia

• Sistemas de gestión de la energía para mejorar la eficiencia

• Fuentes de alimentación conmutadas para un mayor rendimiento

¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?

Un Rds(on) bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general en múltiples aplicaciones.

¿Cómo afecta el amplio rango de temperaturas al uso?

El amplio rango de temperaturas de funcionamiento garantiza un rendimiento fiable en condiciones extremas, por lo que es adecuado para diversos entornos.

¿Puede utilizarse tanto en aplicaciones de alta como de baja frecuencia?

Sí, se adapta tanto a los convertidores CC-CC de alta frecuencia como a las aplicaciones que requieren conmutación de baja frecuencia.

¿Qué hay que tener en cuenta para la instalación?

Para optimizar el rendimiento durante la instalación, deben tenerse en cuenta la disposición adecuada de los circuitos y la gestión térmica.

¿Cómo influye la tensión umbral de puerta en el diseño de circuitos?

La tensión umbral de puerta permite un mejor control del comportamiento de conmutación, lo que facilita el diseño del circuito de conducción.