MOSFET Infineon BSP318SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 911-4978
Nº ref. fabric.:: BSP318SH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP318SH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 2,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

0,347 €

(exc. IVA)

0,42 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 - 1000	0,347 €	347,00 €
2000 - 2000	0,33 €	330,00 €
3000 +	0,309 €	309,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 911-4978
Nº ref. fabric.:: BSP318SH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	SIPMOS®
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	150 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14 nC a 10 V
Longitud	6.5mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	3.5mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.6mm