MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 21 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-7534
Nº ref. fabric.:
BSS127H6327XTSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.65nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.9mm

Anchura

1.3 mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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