MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
753-2832
Nº ref. fabric.:
BSS127H6327XTSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.65nC

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.3 mm

Longitud

2.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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