MOSFET STMicroelectronics STB10NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 10 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
165-7787
Nº ref. fabric.:
STB10NK60ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

750 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

115 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

9.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

50 nC a 10 V

Altura

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics



Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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