MOSFET onsemi FDG8850NZ, VDSS 30 V, ID 750 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 166-2658
- Nº ref. fabric.:
- FDG8850NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
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- 166-2658
- Nº ref. fabric.:
- FDG8850NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 750 mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-363 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 6 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 400 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.65V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 360 mW | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -12 V, +12 V | |
| Ancho | 1.25mm | |
| Número de Elementos por Chip | 2 | |
| Material del transistor | Si | |
| Longitud | 2mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 1,03 nC a 4,5 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 750 mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de Encapsulado SOT-363 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 6 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 400 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.65V | ||
Disipación de Potencia Máxima 360 mW | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -12 V, +12 V | ||
Ancho 1.25mm | ||
Número de Elementos por Chip 2 | ||
Material del transistor Si | ||
Longitud 2mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 1,03 nC a 4,5 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1mm | ||
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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