- Código RS:
- 166-2658
- Nº ref. fabric.:
- FDG8850NZ
- Fabricante:
- onsemi
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- 166-2658
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- FDG8850NZ
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- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 750 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-363 |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 6 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 400 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 0.65V |
Disipación de Potencia Máxima | 360 mW |
Configuración de transistor | Aislado |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -12 V, +12 V |
Longitud | 2mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Ancho | 1.25mm |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 1,03 nC a 4,5 V |
Altura | 1mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 166-2658
- Nº ref. fabric.:
- FDG8850NZ
- Fabricante:
- onsemi
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