MOSFET onsemi, N-Canal FDG8850NZ, VDSS 30 V, ID 750 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-2658
- Nº ref. fabric.:
- FDG8850NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 166-2658
- Nº ref. fabric.:
- FDG8850NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 30 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 750 mA | |
| Encapsulado | US | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 6 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 1 mm | |
| Longitud | 2 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 400 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V, -12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 360 mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | PowerTrench | |
| Anchura | 1.25 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 750 mA | ||
Encapsulado US | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 6 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 1 mm | ||
Longitud 2 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 400 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V, -12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 360 mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie PowerTrench | ||
Anchura 1.25 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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