MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

Código RS:: 171-1937
Nº ref. fabric.:: IPD053N08N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

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Código RS:: 171-1937
Nº ref. fabric.:: IPD053N08N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	90A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Serie	IPD053N08N3 G
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	150W
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	52nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	7.36 mm
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	2.41mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 90A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Serie IPD053N08N3 G
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 150W
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 7.36 mm
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 2.41mm
	Estándar de automoción No

IPD053N08N3 Datasheet

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon

El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon TO-252-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 5,3mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 90A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 80V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 150W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET está presente en las aplicaciones más exigentes y ofrece una flexibilidad total en espacios limitados. Está diseñado para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de próxima generación más afilados en aplicaciones informáticas. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Refrigeración de doble cara

• Excelente carga de compuerta x producto RDS (ON) (FOM)

• chapado sin plomo (Pb)

• inductancia parásita baja

• Perfil bajo (<0, 7mm)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Tecnología optimizada para convertidores dc-dc

• Resistencia térmica superior

Aplicaciones

• AC-DC

• Adaptador

• DC-DC

• LED

• Control de motor

• Alimentación de PC

• Fuentes de alimentación del servidor

• SMPS

• Solar

• Telecomunicaciones

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC