MOSFET Microchip VN0104N3-G, VDSS 40 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 177-9865
- Nº ref. fabric.:
- VN0104N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 02/07/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,724 €
(exc. IVA)
0,876 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 20 - 20 | 0,724 € | 14,48 € |
| 40 - 80 | 0,685 € | 13,70 € |
| 100 + | 0,627 € | 12,54 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 177-9865
- Nº ref. fabric.:
- VN0104N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- TW
Datos del Producto
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 350 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Serie | VN0104 |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 5.08mm |
| Ancho | 4.06mm |
| Altura | 5.33mm |
| Tensión de diodo directa | 1.8V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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