MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, VDSS 55 V, ID 540 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
178-7474
Nº ref. fabric.:
BSS670S2LH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

540mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-23

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

825mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Longitud

2.9mm

Anchura

1.3 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Encapsulado ecológico (sin plomo)

RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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