MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, VDSS 55 V, ID 540 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-7474
Nº ref. fabric.:: BSS670S2LH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, VDSS 55 V, ID 540 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,052 €

(exc. IVA)

0,063 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,052 €	156,00 €
6000 +	0,049 €	147,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-7474
Nº ref. fabric.:: BSS670S2LH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

BSS670S2L OptiMOS Buck converter series Datasheet

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	540 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	825 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	360 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,7 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	2.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm