MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS670S2LH6433XTMA1, VDSS 55 V, ID 0.54 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
250-0560
Nº ref. fabric.:
BSS670S2LH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.54A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

BSS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon fabrica este convertidor reductor OptiMOS de modo de mejora de canal N. Tiene una clasificación de avalancha y no contiene halógenos.

VDS es de 55 V, Rds(on) es de 650 mΩ e Id es de 0,54 A

Sin halógenos

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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