MOSFET Vishay SIA537EDJ-T1-GE3
- Código RS:
- 180-7808
- Nº ref. fabric.:
- SIA537EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 19/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,549 €
(exc. IVA)
0,664 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 20 - 180 | 0,549 € | 10,98 € |
| 200 - 480 | 0,538 € | 10,76 € |
| 500 - 980 | 0,411 € | 8,22 € |
| 1000 - 1980 | 0,324 € | 6,48 € |
| 2000 + | 0,247 € | 4,94 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 180-7808
- Nº ref. fabric.:
- SIA537EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
El Vishay SIA537EDJ es un MOSFET de canal P&N con drenaje para tensión de fuente (VDS) de 20V V para canal P y 12V V para canal N. Tensión de puerta a fuente (VGS) 8V V. Dispone de encapsulado Power PAK SC-70. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS.) de 0,028ohms mA a 4,5VGS V y 0,033ohms mA a 2,5VGS V. Para canal N y 0,054ohms, 0,07 para canal P resp. Corriente de drenaje máxima: 4,5A mA para canal N y -4,5 mA para canal P.
MOSFET de potencia Trench FET
Protección ESD típica: Canal N de 2400 V, canal P de 2000 V.
100 % Rg probado
Protección ESD típica: Canal N de 2400 V, canal P de 2000 V.
100 % Rg probado