MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7113DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 13.2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 180-7804
- Nº ref. fabric.:
- SI7113DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 180-7804
- Nº ref. fabric.:
- SI7113DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.145Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 50°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.61mm | |
| Anchura | 3.61mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.145Ω | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 50°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.61mm | ||
Anchura 3.61mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC JS709A | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 134mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 13.2A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the Active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and Lead (Pb) free
• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07mm profile
• Maximum and minimum driving voltage is 4.5V and 10V
• Maximum dissipation power is 52W
• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
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