MOSFET onsemi NVB150N65S3F, VDSS 650 V, ID 24 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 195-2518
- Nº ref. fabric.:
- NVB150N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
3,236 €
(exc. IVA)
3,916 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,236 € | 32,36 € |
| 100 - 190 | 3,149 € | 31,49 € |
| 200 - 390 | 3,064 € | 30,64 € |
| 400 - 590 | 2,987 € | 29,87 € |
| 600 + | 2,913 € | 29,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 195-2518
- Nº ref. fabric.:
- NVB150N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, el MOSFET SUPERFET III es muy adecuado para los diversos sistemas de alimentación para miniaturización y mayor eficiencia.el rendimiento de recuperación inversa optimizado del MOSFET SUPERFET III FRFET® del diodo de cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
700 V A TJ = 150 °C.
Típ. RDS(on) = 114 m.
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 33 nC)
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 345 pF)
Estos dispositivos no contienen plomo
Aplicaciones
Cargador De A Bordo De Automoción
Convertidor dc/dc de automoción para HEV
Típ. RDS(on) = 114 m.
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 33 nC)
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 345 pF)
Estos dispositivos no contienen plomo
Aplicaciones
Cargador De A Bordo De Automoción
Convertidor dc/dc de automoción para HEV
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 24 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 150 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 192 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 43 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 10.67mm |
| Ancho | 9.65mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 4.58mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.3V |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 |
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