MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2469
- Nº ref. fabric.:
- FCB125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad limitada
No podemos confirmar fecha de entrega
- Código RS:
- 205-2469
- Nº ref. fabric.:
- FCB125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.6 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 14.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.6 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 14.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor es una familia de MOSFET de súper unión (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
La corriente nominal de drenaje continuo es 24A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 125mohm
Carga de puerta ultrabaja
Baja energía almacenada en capacitancia de salida
100 % a prueba de avalancha
El tipo de encapsulado es D2-PAK
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