MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi FCB125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2470
- Nº ref. fabric.:
- FCB125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 205-2470
- Nº ref. fabric.:
- FCB125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 14.6mm | |
| Anchura | 9.6 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 14.6mm | ||
Anchura 9.6 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor es una familia de MOSFET de súper unión (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
La corriente nominal de drenaje continuo es 24A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 125mohm
Carga de puerta ultrabaja
Baja energía almacenada en capacitancia de salida
100 % a prueba de avalancha
El tipo de encapsulado es D2-PAK
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