Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT10N120H, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

Código RS:: 204-3950
Nº ref. fabric.:: SCT10N120H
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT10N120H, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:: 204-3950
Nº ref. fabric.:: SCT10N120H
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	Módulo de potencia SiC
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1200V
	Encapsulado	Hip-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.52Ω
	Modo de canal	Mejora

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto Módulo de potencia SiC
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V
	Encapsulado Hip-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω
	Modo de canal Mejora

SCT10N120H - Datasheet

COO (País de Origen):: CN

El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excepcionales propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 patentado, permiten a los diseñadores utilizar un perfil estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.

Variación muy estrecha de la resistencia de encendido frente a la temperatura

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT10N120H, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

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