Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, N-Canal SCT10N120H, VDSS 1.2 kV, ID 12 A, Hip-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 204-3950
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 204-3950
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 12 A | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.52 Ω | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | SCT10N120H | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 12 A | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.52 Ω | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie SCT10N120H | ||
- COO (País de Origen):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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