Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT10N120H, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines

STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 propio, permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.

Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia