Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTBS9D0N10MC, VDSS 100 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

El MOSFET 100V de canal N único de on Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.

La corriente nominal de drenaje continuo es 60A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es de 9,0 Mohmios
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Rendimiento de conmutación optimizado
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
El diodo de cuerpo más suave y Qrr más bajo del sector para un ruido bajo superior conmutación
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Alta eficiencia con pico de conmutación más bajo y EMI
El tipo de encapsulado es D2PAK3